Prednosti bipolarnega tranzistorja z izoliranimi vrati (IGBT)

Temeljne prednosti
Visoka vhodna impedanca: podobno kot MOSFET-ji so IGBT-ji napetostno-poganjane naprave, pri čemer vrata skoraj ne porabljajo toka, zaradi česar je pogonsko vezje preprosto in nizko-porabno.

Nizka pogonska moč: Potrebna je samo pogonska moč-na ravni milivatov, ki je veliko nižja od tradicionalnih BJT, kar prispeva k energijsko-učinkoviti zasnovi.

Zmanjšan padec prevodne napetosti: z uporabo učinka modulacije prevodnosti je napetost nasičenosti vklopljenega-stanja (VCE(sat)) samo 1–3 V, kar je znatno nižje kot pri MOSFET-ih enake nazivne napetosti, s čimer se zmanjšajo izgube prevodnosti.

Visoka hitrost preklapljanja: delovna frekvenca lahko doseže 1–20 kHz, kar je primerno za visoko-frekvenčne pretvornike, motorne pogone in druge scenarije.

Velika zmogljivost napajanja: en sam modul lahko podpira do 6500 V/600 A, primeren za aplikacije z visoko-napetostjo, visokim{3}}tokom, kot so nova energetska vozila, železniški promet in industrijski pogoni s spremenljivo frekvenco.

Kompaktna struktura in visoka zanesljivost: Modularna embalaža (kot je integracija z diodami za hitro obnovitev, FWD) olajša integracijo sistema in izboljša splošno stabilnost.